朕芯微电子定位于功率半导体(分离器件)的中道制程，包括晶圆的减薄和背面金属化和薄晶圆的测试、晶圆正面NiAu/NiPdAu金属化及CSP封装、功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)背面制程等。未来将专注于半导体晶圆制造当中的中道制程的代工这一细分领域，秉承工匠精神，致力于全面提升国内半导体器件性能，公司目标是在10年之内成为中国大陆最大的一家功率器件(分离器件)的中道制程企业。同时，公司将不断升级晶圆前端代工工艺，优化产品服务产业链，加速企业向高端智造转型。