苏州纳维科技有限公司苏州纳维创办以来，在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下，经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到10⁴cm²，达到世界先进水平，期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持